半導体チップの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小野尚純 , 奥貫佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-331651
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101182
出願日： 2003年09月24日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】裏面に接着フィルムが貼着された半導体ウエーハを、裏面にチッピングを発生することなく、且つ、切削ブレードの寿命を低下させることなく分割することができる半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】表面に複数のストリート21が格子状に形成されているとともに該複数のストリート21によって区画された複数の領域に回路22が形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハの裏面に接着フィルム3を貼着する接着フィルム貼着工程と、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って切削し裏面側に所定厚さに切代24を残して切削溝23を形成するストリート切削行程と、ストリート21に沿って形成された切削溝23の該切代24にレーザー光線を照射し切代および接着フィルムを切断する切断行程とを含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、半導体ウエーハの表面から該ストリートに沿って切削し、裏面側に所定厚さの切代を残して切削溝を形成するストリート切削行程と、該ストリートに沿って形成された該切削溝の該切代にレーザー光線を照射し、該切代および該接着フィルムを切断する切断行程と、を含む、ことを特徴とする半導体チップの製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/301

FI (2件)：

H01L21/78 Q , H01L21/78 B

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-354042 出願人：ミツミ電機株式会社

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-359095 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置のダイシング方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-308959 出願人：三菱電機株式会社
特開昭63-036988

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