レジスト処理方法及びレジスト処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140022
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049089
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】レジストパターンの高精度な線幅制御が可能なレジスト処理方法およびレジスト処理装置を提供する。【解決手段】レジストパターンの形成に先立ちウェハの下地膜の光の反射率を検出し、この反射率に基づき、レジストパターン形成時の条件を制御する。レジストパターン形成時の条件とは、レジスト液塗布装置(COT)においてウェハWを回転させながらレジスト液を供給するときの当該回転数、加速度、露光装置における露光時間及び現像処理装置(DEV)における現像時間等がある。

請求項（抜粋）：

下地膜が形成された基板上に所定のレジストパターンを形成するレジスト処理方法において、(a)前記下地膜の光の反射率を検出する工程と、(b)第1の条件に基づき、前記基板上にレジストを塗布する工程と、(c)第2の条件に基づき、前記レジストが塗布された基板を露光する工程と、(d)第3の条件に基づき、前記露光された基板を現像する工程と、(e)前記検出された反射率に基づき、前記第1の条件、前記第2の条件及び前記第3の条件のうち、少なくとも1つを制御する工程とを具備することを特徴とするレジスト処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/16 501 , G03F 7/20 521 , G03F 7/30

FI (6件)：

H01L 21/30 564 D , G03F 7/16 501 , G03F 7/20 521 , G03F 7/30 , H01L 21/30 516 D , H01L 21/30 569 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-131517
特開昭63-143816
露光パターン形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-048909 出願人：株式会社日立製作所

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