特許
J-GLOBAL ID：200903076685663211

パターン形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器

発明者：
森山 英和

森山 英和 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-114353
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319897
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】フォトリソグラフィによるアライメントマークを形成する工程の無駄を省き、高精度に位置決めされた状態で液体吐出法によりアライメントマークを形成するパターン形成方法、電気光学装置、及び電子機器を提供すること。【解決手段】基板上10に親液部12と撥液部11とを所定のパターンに形成する工程と、親液部12の一部に第1の液状体L1を配置して第1のアライメントマークAM1bを形成する工程と、当該第1のアライメントマークAM1bに基づき、親液部12に第2の液状体L2を配置して膜パターンPbを形成する工程とを具備することを特徴とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に親液部と撥液部とを所定のパターンに形成する工程と、 前記親液部の一部に第1の液状体を配置して第1のアライメントマークを形成する工程と、 当該第1のアライメントマークに基づき、前記親液部に第2の液状体を配置して膜パターンを形成する工程と、 を具備することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (6件)：
H05K3/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05K3/10
FI (6件)：
H05K3/00 P ,  H05K3/00 A ,  H01L21/288 Z ,  H05K3/10 D ,  H01L29/78 612D ,  H01L21/88 B
Fターム (56件)：
2H092GA57 ,  2H092JA26 ,  2H092JA27 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092KB04 ,  2H092MA10 ,  2H092NA27 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD21 ,  4M104DD47 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB72 ,  5E343DD12 ,  5E343DD20 ,  5E343GG08 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH40 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033VV06 ,  5F033XX33 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110NN12 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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