特許

J-GLOBAL ID：200903076687980583

レーザー照射装置及びレーザー照射方法

発明者： 山崎 舜平 ,  寺本 聡 ,  楠本 直人 ,  田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-034468
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275081
出願日： 1997年02月03日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【目的】 大面積を有する珪素膜に対するレーザー光の照射によるアニールの均一性を向上させる。【構成】 被照射面に対して線状のビーム形状を有するレーザー光を照射する構成において、線状ビームの長手方向における照射エネルギー密度の分布を制御するホモジナイザー103や104を構成するシリンドリカルレンズの幅や数を最適化する。例えば、ホモジナイザー103や104を構成するシリンドリカルレンズの幅を0.1mm 〜5mmとし、さらにその数を照射面における線状レーザーの長手方向の長さの5mm〜15mm当たりに1個の割合で配置するようにする。このようにすることで、線状レーザーの長手方向における照射エネルギー密度の均一性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

照射面における線状レーザー光の長さをx(mm)とし、ホモジナイザーを構成するシリドリカルレンズの数をyとして、xとyは、(43/600)x-(1/6)≦y≦(x/5)で示される数式を満足することを特徴とするレーザー照射装置。

IPC (5件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01S 3/00

FI (6件)：

H01L 21/268 Z ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/00 B ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F

引用特許：

出願人引用 (4件)

• レーザー処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-173709   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体デバイスのレーザー処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-124172   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶半導体の製造方法及び画像表示デバイスの製造方法及び多結晶半導体の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-066010   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平1-319727
  

審査官引用 (1件)

• レーザー処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-173709   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所