特許

J-GLOBAL ID：200903076732767098

相変化メモリ素子、相変化メモリIC、相変化メモリ素子の製造方法および相変化メモリICの製造方法

発明者： 早川 努
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-264484
公開番号（公開出願番号）：特開2007-080978
出願日： 2005年09月12日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】 熱効率の高い構造をもつ相変化メモリ素子を実現すること、および、相変化メモリのIC化に伴う諸問題を解消して、大規模な相変化メモリICの量産を可能とする。【解決手段】 ヒータ電極(111)ならびに引き出し電極層(113a,114a)は共に、GSTからなる相変化層(115)の底面に接触する。引き出し電極層(113a,114a)は、相変化層とヒータ電極との接触面(Y)の直上から外れた領域において、相変化層(115)の底面に部分的な重なりをもつ形態で接触する。そして、ヒータ電極(111)の直上から外れた箇所において、コンタクト電極(116,118)が、引き出し電極層(113a,114a)に直接的に接続される。相変化層の相変化領域の直上には、放熱フィンとして機能する電極が存在しない。また、コンタクト電極の直下には、GST等の相変化層が存在しない。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

相変化層と、 この相変化層の下面の一部に接触するヒータ電極と、 前記相変化層と前記ヒータ電極との接触面の直上から外れた領域において、前記相変化層の底面の一部に接触する引き出し電極層と、 この引き出し電極の一部に接続されるコンタクト電極と、 を有することを特徴とする相変化メモリ素子。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  G11C 13/00

FI (2件)：

H01L27/10 448 ,  G11C13/00 A

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 相変化媒体メモリデバイスのための、熱損失が小さく接触面積が小さい複合電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-097798   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 相変化記憶素子およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-310548   出願人：三星電子株式会社

審査官引用 (2件)

• 相変換メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-156583   出願人：三星電子株式会社
• 相転移メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-382823   出願人：株式会社東芝