特許
J-GLOBAL ID：200903076041731615
相変換メモリ装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-156583
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363586
出願日： 2004年05月26日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】 高集積及び大容量化に有利なメモリセル構造を有する相変換RAMを提供する。【解決手段】各々のドレイン領域を有する一対のアクセストランジスタと、ビットラインに第1電極を通じて電気的に連結され、前記ドレイン領域に一対の第2電極を通じて電気的に連結され、前記アクセストランジスタに共有される相変換物質膜とを含む。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
複数の単位領域が配列されたメモリセルアレイを有する相変換メモリ装置において、
前記単位領域が、
第1方向に伸びる第1導電線と、
第2方向に伸びる複数の第2導電線と、
前記第1導電線に電気的に連結される相変換物質膜と、
所定の活性領域内に限定され、前記相変換物質膜に電気的に連結される第1半導体領域と、
前記活性領域内に限定され、前記第2導電線を隔てて前記第1半導体領域から離隔された第2半導体領域とを具備することを特徴とする相変換メモリ装置。
IPC (3件)：
H01L27/10
, G11C13/00
, H01L45/00
H01L27/10 448
, G11C13/00 A
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA01
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083LA18
, 5F083MA06
, 5F083MA15
