特許
J-GLOBAL ID：200903076755009638
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171664
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330934
出願日： 1996年06月12日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置に形成される入出力端子がダイソート端子部101とバンプを有する入出力端子部102とからなり従来のプローブカードを用いてもダイソートが容易に行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1には、入出力端子及び入出力回路が形成されている。半導体基板1の主面は、集積回路が形成されている内部領域部1aと入出力回路11が形成されている周辺領域1bに分けられる。入出力回路11は、両領域の境界に配置されている。入出力端子は、周辺領域1bに配置され、バンプの形成されないテスト用のダイソート端子部101と内部領域1aに配置され、バンプが形成された接続用の入出力端子部102とから構成されている。ダイソート端子部101と入出力端子部102とは、例えば、両端子部を構成する金属配線より下層の接続配線103により電気的に接続されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された複数の入出力端子とを備え、前記入出力端子は、前記半導体基板上の周辺領域に設けられたダイソート端子部と前記半導体基板上の内部領域に設けられ、バンプが形成されている入出力端子部とを有し、このダイソート端子部と入出力端子部とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/92 602 P
, H01L 21/66 E
, H01L 21/92 602 Z
, H01L 21/92 604 T
