特許
J-GLOBAL ID：200903076783837287

III族窒化物半導体素子およびエピタキシャル基板

発明者：
田辺 達也

田辺 達也 について

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木山 誠

木山 誠 について

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三浦 広平

三浦 広平 について

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櫻田 隆

櫻田 隆 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-019502
公開番号（公開出願番号）：特開2006-295126
出願日： 2006年01月27日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】ショットキ電極からのリーク電流が低減されるIII族窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】高電子移動度トランジスタ1では、支持基体3は、AlN、AlGaN、GaNからなる。AlYGa1-YNエピタキシャル層5は、0.25nm以下の表面ラフネス(Rms)を有しており、この表面ラフネスは1μm角のエリアによって規定される。GaNエピタキシャル層7は、AlYGa1-YN支持基体3とAlYGa1-YNエピタキシャル層5との間に設けられる。ショットキ電極9は、AlYGa1-YNエピタキシャル層5上に設けられる。第1のオーミック電極11は、AlYGa1-YNエピタキシャル層5上に設けられる。第2のオーミック電極13は、AlYGa1-YNエピタキシャル層5上に設けられる。第1および第2のオーミック電極11、13の一方はソース電極であり、また他方はドレイン電極である。ショットキ電極9は、高電子移動度トランジスタ1のゲート電極である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
AlXGa1-XN支持基体(0≦X≦1)と、 0.25nm以下の1μm角のエリアの表面ラフネス(Rms)を有するAlYGa1-YNエピタキシャル層(0<Y≦1)と、 前記窒化ガリウム支持基体とAlYGa1-YNエピタキシャル層との間に設けられたGaNエピタキシャル層と、 前記AlYGa1-YNエピタキシャル層上に設けられたショットキ電極と、 前記AlYGa1-YNエピタキシャル層上に設けられたソース電極と、 前記AlYGa1-YNエピタキシャル層上に設けられたドレイン電極と を備える、ことを特徴とするIII族窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (22件)：
5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR15 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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