特許
J-GLOBAL ID：200903076796326788

電界効果トランジスタおよびこの製造方法

発明者：
末光 哲也

末光 哲也 について

, 
石井 哲好

石井 哲好 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-241071
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059944
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 より容易にリセス形成によるゲート構造で非対称構造を実現できるようにする。【解決手段】 絶縁膜110を形成にゲート開口部111a,非対称リセス形成用開口部111bを形成したら、ゲート開口部111a,非対称リセス形成用開口部111bをリセス形成用の開口領域とし、この開口領域よりコンタクト層107を、クエン酸などのエッチング液を用いたウエットエッチングで等方的にエッチングし、異なる広さのリセス領域113a,リセス領域113bを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたチャネル層と、このチャネル層上に形成されたショットキー接合層と、このショットキー接合層上に形成されて所定領域に前記ショットキー接合層が露出するリセス領域を備えたコンタクト層と、このコンタクト層上の前記リセス領域を覆う所定領域に形成され、前記リセス領域内に配置されて形成されたゲート開口部、および前記リセス領域内に配置されて前記ゲート開口部から所定距離離れた箇所に形成された非対称リセス形成用開口部を備えた絶縁膜と、この絶縁膜上に形成されて一部が前記ゲート開口部のみより前記リセス領域に嵌入して前記ショットキー接合層にショットキー接続したゲート電極と、前記コンタクト層上の前記ゲート電極のゲート長方向の非対称リセス形成用開口部側に他方に形成されたドレイン電極と、前記コンタクト層上の前記ゲート電極のゲート長方向の前記ドレイン電極とは反対の側に形成されたソース電極とを備え、前記非対称リセス形成用開口部は、短い方の開口寸法が前記絶縁膜の厚さより小さく形成され、前記リセス領域の前記ゲート電極のショットキー接合部で区切られた前記ドレイン電極側の領域は、前記ソース電極側の領域より広く形成されたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H
Fターム (18件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK06 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102HC17 ,  5F102HC29
引用特許：
審査官引用 (3件)

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