特許

J-GLOBAL ID：200903076797445861

半導体装置

発明者： 前田 就彦 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139760
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326232
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 従来のGaN系デバイスよりも高温動作特性・高耐圧動作特性を向上させる。【解決手段】 半導体基板と、この半導体基板上に形成された窒化物半導体のバッファ層と、このバッファ層よりも上層に形成された窒化物半導体のチャネル層とを備える。前記チャネル層は、Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(0<X<1)によって形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成された窒化物半導体のバッファ層と、このバッファ層よりも上層に形成された窒化物半導体のチャネル層とを備え、前記チャネル層は、Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)によって形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Fターム (12件)：

5F102FA00 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• MIS型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-330777   出願人：古河電気工業株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-103002   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-005011   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-005093   出願人：松下電器産業株式会社