特許

J-GLOBAL ID：200903076829867119

ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法

発明者： 吉本 護 ,  矢口 洋一 ,  砂川 和彦 ,  古滝 敏郎 ,  黒岩 輝夫 ,  竹内 敦子 ,  小山 浩司
出願人/特許権者： 並木精密宝石株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019859
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235794
出願日： 2003年01月29日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】SAWフィルタのように量子構造を組み込んだデバイスに適したステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板を提供すること。【解決手段】単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板において、単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の傾斜角度θに応じて熱処理時間及び加熱温度を制御してステップ2をバンチングさせて形成されたステップバンチを備えたステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板1である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

単結晶サファイヤの所定の結晶軸を所定方位に向けて所定角度傾斜させた単結晶サファイヤ傾斜基板において、 前記所定方位と前記単結晶サファイヤ傾斜基板の傾斜方位との回転ズレ角度が、前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面の法線を回転軸とする回転方向に対して±0.1°以下であり、 前記単結晶サファイヤ傾斜基板の主面にステップバンチが形成されていることを特徴とするステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板。

IPC (3件)：

H03H3/08 ,  C30B29/20 ,  H03H9/25

FI (3件)：

H03H3/08 ,  C30B29/20 ,  H03H9/25 C

Fターム (6件)：

4G077AA03 ,  4G077FE20 ,  4G077HA12 ,  5J097EE08 ,  5J097HA03 ,  5J097KK09

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 単結晶サファイア基板およびその熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-095657   出願人：京セラ株式会社
• シリコン基板の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-113104   出願人：日本電信電話株式会社
• 表面弾性波素子基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-136828   出願人：住友電気工業株式会社
• 量子素子及びその作製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-035966   出願人：日本電子株式会社

審査官引用 (4件)

• 単結晶サファイア基板およびその熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-095657   出願人：京セラ株式会社
• シリコン基板の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-113104   出願人：日本電信電話株式会社
• 表面弾性波素子基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-136828   出願人：住友電気工業株式会社
• 量子素子及びその作製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-035966   出願人：日本電子株式会社