特許
J-GLOBAL ID：200903012009671378
量子素子及びその作製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
蛭川 昌信 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035966
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233751
出願日： 1998年02月18日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 短時間で結晶化された精度の良い極微細な線を精度良く作製することを可能にする。【解決手段】 基板材料を熱処理して所定の面方位から傾斜した所定幅のテラスのマルチステップを形成する段階、マルチステップを形成した前記基板材料を温度制御し、自己組織化機能により前記ステップに沿って金属を蒸着成長させる段階からなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
所定の面方位から傾斜した基板材料に形成された所定幅のテラスのマルチステップに沿って量子細線が形成された量子素子。
IPC (3件)：
H01L 29/06
, C30B 25/02
, H01L 21/203
H01L 29/06
, C30B 25/02 Z
, H01L 21/203 Z
