特許
J-GLOBAL ID：200903076849772173

長波長赤外線垂直共振型面発光レーザ

発明者：
ロング ヤング

ロング ヤング について

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ダニー・イー・マース

ダニー・イー・マース について


出願人/特許権者：
ヒューレット・パッカード・カンパニー

ヒューレット・パッカード・カンパニー について


代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-184739
公開番号（公開出願番号）：特開平10-075013
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】長距離光ファイバ通信系に使用される最も一般的な波長は、1.3μmと1.55μmである。この発光デバイスは今までは、InP基板上に成長させていた。しかし、 InP基板では、高価、取り扱い、光出力の制限等の問題がある。従って、GaAs基板上で材料の層を成長させることにより、1.0μmより長い波長の光を発生する発光デバイスを提供することである。【解決手段】発光デバイスは、基板、下方ミラー領域、活性領域及び上方ミラー領域、上方及び下方のミラー領域間に挟まれる中央量子井戸領域等から成り、ガリウム窒化ヒ化物GaNxAs(1-x)(ここで、xは0.1未満)の量子井戸を使って1ミクロンより大きい波長の光を発生する。この時ひずみを加えた薄膜で結晶構造の転位を生じさせないでGaAsの格子定数を選ぶ。
請求項（抜粋）：
1ミクロンを超える所望の波長を有する光を発生させる垂直共振型面発光レーザ(VCSEL)であって、該VCSELは以下の(a)ないし(d)を含むことを特徴とする、(a)本質的にGaAsから成る基板と、(b)前記基板に隣接し且つそれに格子整合された下方ミラー領域と、(c)上方ミラー領域と、(d)前記上方及び前記下方ミラー領域間にサンドイッチ状に挟まれた活性領域とを含んでおり、前記活性領域は以下の(d-1)及び(d-2)を含む、(d-1)本質的にGaNxAs(1-x)を含む量子井戸層を含む中央量子井戸領域であって、該量子井戸層のGaNxAs(1-x)は、xに依存する格子定数とバンドギャップを有し、xは、該量子井戸層のGaNxAs(1-x)のバンドギャップを、1ミクロンを超える所望の波長の光発生に相応する値に設定する値を有する中央量子井戸領域と、(d-2)前記量子井戸領域と前記下方ミラー領域及び前記上方ミラー領域の各々との間に挟まれたヒ化ガリウム層であって、前記各ヒ化ガリウム層は、本質的にGaAs又はAlGaAsから成る材料の層であり、且つ前記基板に格子整合された格子定数を有するヒ化ガリウム層。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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