特許

J-GLOBAL ID：200903076894213304

窒化ケイ素質焼結体とその製造方法及びそれを用いた回路基板

発明者： 江本 秀幸 ,  横田 博 ,  伊吹山 正浩
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-213878
公開番号（公開出願番号）：特開2002-029849
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月29日
要約：

【要約】【課題】パワーモジュール用回路基板等に好適な、機械的特性に優れると共に、高熱伝導特性と電気絶縁性に優れる窒化ケイ素質焼結体を提供する【解決手段】窒化ケイ素86〜99mol%、イットリウム及びランタノイド属の希土類元素からなる群から選ばれる1種以上を酸化物換算で1〜10mol%、更にLi、Mg、Ca、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種以上を酸化物換算で0〜4mol%含有し、更にアルミニウム含有量が1000ppm以下であり、しかも窒化ケイ素のβ率が30%以上の窒化ケイ素組成物を、1MPa以下の窒素加圧雰囲気中1700〜2000°Cで焼成する窒化ケイ素質焼結体の製造方法であり、体積抵抗率が1×1012Ωcm以上、好ましくは、熱伝導率が90W/(m・K)以上である窒化ケイ素焼結体。

請求項（抜粋）：

窒化ケイ素86〜99mol%、イットリウム及びランタノイド属の希土類元素からなる群から選ばれる1種以上を酸化物換算で1〜10mol%、更にLi、Mg、Ca、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種以上を酸化物換算で0〜4mol%含有し、体積抵抗率が1×1012Ω・m以上であることを特徴とする窒化ケイ素質焼結体。

IPC (4件)：

C04B 35/584 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610

FI (6件)：

H05K 1/03 610 D ,  C04B 35/58 102 K ,  C04B 35/58 102 C ,  C04B 35/58 102 X ,  H01L 23/12 D ,  H01L 23/14 C

Fターム (33件)：

4G001BA01 ,  4G001BA06 ,  4G001BA07 ,  4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA10 ,  4G001BA12 ,  4G001BA13 ,  4G001BA14 ,  4G001BA32 ,  4G001BA71 ,  4G001BB01 ,  4G001BB06 ,  4G001BB07 ,  4G001BB08 ,  4G001BB09 ,  4G001BB10 ,  4G001BB12 ,  4G001BB13 ,  4G001BB14 ,  4G001BB32 ,  4G001BB71 ,  4G001BC13 ,  4G001BC23 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC71 ,  4G001BD03 ,  4G001BD14 ,  4G001BD23 ,  4G001BD38 ,  4G001BE03 ,  4G001BE33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化珪素質焼結体とその製造方法、それを用いた回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-133142   出願人：電気化学工業株式会社
• 窒化珪素焼結体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-108937   出願人：日本碍子株式会社
• 窒化珪素質焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-133141   出願人：電気化学工業株式会社
• 窒化珪素質焼結体およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-230995   出願人：京セラ株式会社