特許
J-GLOBAL ID:200903077001957641
パターン形成方法および液晶表示装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-052308
公開番号(公開出願番号):特開2002-261078
出願日: 2001年02月27日
公開日(公表日): 2002年09月13日
要約:
【要約】【課題】 工程数を減らして製造コストが低減できるようにする。【解決手段】 マスクパターン121a,121bをマスクとして金属膜106とn+シリコン膜105とを順次ドライエッチングした後、マスクパターン121a,121bを加熱してリフローさせる。
請求項(抜粋):
基板上に形成された被エッチング膜の上に所定の形状の有機材料からなるマスクパターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、前記マスクパターンマスクとして前記被エッチング膜を表面から一部除去し、前記被エッチング膜を露出領域と前記マスクパターンに被覆された被覆領域とする第1のエッチング工程と、前記マスクパターンを加熱処理して塑性変形させて変形マスクパターンを形成するリフロー工程と、前記変形マスクパターンをマスクとして前記被エッチング膜の露出領域をエッチング除去してパターンを形成する第2のエッチング工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (10件):
H01L 21/3065
, G02F 1/1368
, G03F 7/40 511
, G03F 7/40 521
, G09F 9/30 330
, G09F 9/30 338
, H01L 21/027
, H01L 29/43
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (11件):
G02F 1/1368
, G03F 7/40 511
, G03F 7/40 521
, G09F 9/30 330 Z
, G09F 9/30 338
, H01L 21/302 J
, H01L 21/30 570
, H01L 29/62 G
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 617 L
, H01L 29/78 627 C
Fターム (86件):
2H092JA26
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092JA46
, 2H092JA47
, 2H092JB57
, 2H092KB24
, 2H092MA08
, 2H092MA13
, 2H092MA14
, 2H092MA17
, 2H092NA27
, 2H096AA00
, 2H096AA27
, 2H096BA09
, 2H096GA08
, 2H096HA05
, 2H096HA23
, 2H096JA04
, 4M104AA01
, 4M104AA09
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB13
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD08
, 4M104FF13
, 5C094AA43
, 5C094AA44
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA14
, 5C094DA15
, 5C094EA04
, 5C094EA07
, 5C094EB02
, 5F004AA16
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004DB01
, 5F004DB02
, 5F004DB08
, 5F004DB09
, 5F004EA01
, 5F004EA24
, 5F004EA25
, 5F004EA28
, 5F004EB02
, 5F046AA28
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE01
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110FF02
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110HK01
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HL07
, 5F110NN02
, 5F110NN72
, 5F110QQ02
, 5F110QQ04
引用特許: