特許
J-GLOBAL ID：200903077006549665

半導体発光素子

発明者：
森田 悦男

森田 悦男 について

, 
河合 弘治

河合 弘治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-115860
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308532
出願日： 1997年05月06日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 リードフレームなどの基台上に接着剤で接着して使用する場合に、輝度劣化を防止して信頼性の向上を図ることができるとともに、接着剤の選択の自由度を高くすることができる半導体発光素子を提供する。また、外部に光を有効に取り出すことができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN系発光ダイオードにおいて、サファイア基板1の表面に発光ダイオード構造を形成するGaN系化合物半導体層2〜7を積層し、裏面に反射膜11を設ける。あるいは、発光ダイオード構造を形成するGaN系化合物半導体層にエッチングにより逆メサ形状の端面を形成し、この端面に反射膜を設ける。p側電極9およびn側電極10はGaN系化合物半導体層2〜7と同じ側に設ける。
請求項（抜粋）：
光透過性の基板の一方の主面に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層が積層された半導体発光素子において、上記基板の他方の主面に反射膜が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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