特許
J-GLOBAL ID:200903077010475986

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 加藤 朝道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-174432
公開番号(公開出願番号):特開2004-020325
出願日: 2002年06月14日
公開日(公表日): 2004年01月22日
要約:
【課題】抵抗やしきい値電圧などのばらつきを補正するばらつき補正回路の面積と消費電力、ノイズ、補正精度のトレードオフを解決する半導体装置の提供。【解決手段】複数の読み出し回路で共用で使われる多値電圧発生手段(101)と、多値電圧を各読み出し回路に供給する多値電圧バス(102)と、多値電圧からばらつき補正に適した電圧を選択する選択手段(103)を備え、多値電圧発生手段からの多値電圧を複数の読み出し回路に配り、各読み出し回路内ではスイッチによって補正に最適な電圧を選択することで、素子のばらつきを補正する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数の抵抗よりなる抵抗アレイと、 前記抵抗アレイの抵抗の変化を読み出す複数の読み出し回路と、 前記複数の読み出し回路の各々に対して複数のアナログ電圧を供給する第1の多値電圧バスと、 前記第1の多値電圧バスを構成する複数のラインに対して互いに異なる複数のアナログ電圧を供給する第1の多値電圧発生回路と、 を含み、 前記複数の読み出し回路がそれぞれ前記第1の多値電圧バスからの前記複数のアナログ電圧の中の一つのアナログ電圧を選択する第1のスイッチを備えている、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (10件):
G01J1/44 ,  G01J1/02 ,  G11C11/15 ,  G11C27/02 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/14 ,  H04N5/33
FI (13件):
G01J1/44 P ,  G01J1/02 C ,  G01J1/02 Q ,  G11C11/15 150 ,  G11C27/02 602D ,  H01L27/10 311 ,  H01L27/10 371 ,  H01L27/10 481 ,  H04N5/33 ,  H01L27/10 447 ,  H01L27/10 444Z ,  H01L27/04 F ,  H01L27/14 K
Fターム (61件):
2G065AB02 ,  2G065BA12 ,  2G065BA14 ,  2G065BA34 ,  2G065BC02 ,  2G065BC03 ,  2G065BC08 ,  2G065BC28 ,  2G065BC33 ,  2G065BC35 ,  2G065BE08 ,  2G065CA21 ,  2G065DA01 ,  4M118AA04 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA09 ,  4M118CA14 ,  4M118CB14 ,  4M118DD09 ,  4M118DD10 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118GA10 ,  5C024AX06 ,  5C024CX03 ,  5C024CY42 ,  5C024HX01 ,  5C024HX13 ,  5C024HX23 ,  5C024HX31 ,  5C024HX44 ,  5C024HX47 ,  5F038AR06 ,  5F038AR07 ,  5F038AR21 ,  5F038AR29 ,  5F038AV06 ,  5F038AZ03 ,  5F038AZ07 ,  5F038AZ08 ,  5F038BB04 ,  5F038BB05 ,  5F038BG01 ,  5F038BG09 ,  5F038DF01 ,  5F038DF03 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038DF11 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD00 ,  5F083BS00 ,  5F083FR00 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA12 ,  5F083LA03 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12
引用特許:
審査官引用 (8件)
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