特許
J-GLOBAL ID:200903077056468410

補助バイアスを備えたライター構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  清水 邦明 ,  林 鉐三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-053218
公開番号(公開出願番号):特開2006-244693
出願日: 2006年02月28日
公開日(公表日): 2006年09月14日
要約:
【課題】電極先端に残留する磁界は、媒体への転移に悪影響を及ぼし、媒体上の一部分を消去する原因となる恐れがある。電極先端の動作を支援し、外部の磁界が媒体上の一部分を消去しないようにする。【解決手段】記憶媒体を有する記録ヘッドであって、磁気電極と、磁気バイアス構造と、磁気電極と磁気バイアス構造との間に配置されたスペーサとを備えた記録ヘッドを提供する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
記憶媒体と共に用いられる記録ヘッドであって、 磁気電極と、 磁気バイアス構造と、 前記磁気電極と前記磁気バイアス構造との間に配置されたスペーサとを含む記録ヘッド。
IPC (2件):
G11B 5/31 ,  H01L 43/08
FI (4件):
G11B5/31 D ,  H01L43/08 B ,  G11B5/31 Q ,  G11B5/31 F
Fターム (8件):
5D033AA05 ,  5D033BA08 ,  5D033BA12 ,  5D033BA31 ,  5D033BA41 ,  5D033BB21 ,  5D033BB43 ,  5D033CA02
引用特許:
審査官引用 (7件)
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