特許
J-GLOBAL ID：200903077071353093

接合方法および接合装置

発明者：
有賀 剛

有賀 剛 について

, 
萩原 順一

萩原 順一 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-270304
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026608
出願日： 2003年07月02日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】 接合部の酸化膜等の影響を受けることなく、信頼性の高い接合構造を実現することが可能な接合技術を提供する。【解決手段】 下部チャック43と上部チャック46の間で半導体ウェハ100とインターポーザ200を挟圧し、下部ヒータ44および上部ヒータ47で加熱して、両者の表面の接続電極を直接的に接合する接合装置において、下部チャック43に支持された下部チャンバ壁48bと、上部チャック46が支持される上部ヘッド45に支持された上部チャンバ壁48aとを設け、接合に先立って、上部チャンバ壁48aと下部チャンバ壁48bを密着させることで、下部チャック43と上部チャック46の各々に保持された半導体ウェハ100とインターポーザ200が収容される処理チャンバ48を構成し、この処理チャンバ48内に薬液や洗浄液、酸化防止剤等を導入して接合部の酸化膜除去等の表面処理を行うようにした。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
第1および第2被接合物を挟圧して接合する接合方法であって、 前記第1および第2被接合物を、その接合面が対向するようにそれぞれ第1および第2保持部材に保持させる第1工程と、 前記第1および第2保持部材に保持された状態の前記第1および第2被接合物の前記接合面を処理液にて処理する第2工程と、 前記第1および第2保持部材により前記第1および第2被接合物を挟圧して前記接合面を密着させて接合する第3工程と、 を具備したことを特徴とする接合方法。
IPC (2件)：
H01L21/60 ,  H01L23/12
FI (3件)：
H01L21/60 311Q ,  H01L21/60 311T ,  H01L23/12 501P
Fターム (3件)：
5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044PP01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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