特許
J-GLOBAL ID：200903009617786241
III族窒化物薄膜の形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
北村 欣一 (外2名)
, 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-366723
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185487
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【課題】 サファイアC面基板上に成長するGaN系III族窒化物薄膜の極性を(0001)に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。【解決手段】 基板上に、窒素プラズマおよびGaを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりGaN系薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、該薄膜の成長初期もしくは成長中に金属Inを照射して所望のGaN系薄膜を成長させること、または金属Gaもしくは金属Alを該基板上に1〜数原子層堆積させた後、所望の薄膜を成長させること、または該基板上に窒素プラズマを用いてAlN層を成長させた後に所望の薄膜を成長させること、または該基板上にアンモニアを照射して基板上にAlN層を形成させた後、Gaを主成分とする金属およびアンモニアもしくは窒素プラズマを用いて所望の薄膜を成長させること。
請求項（抜粋）：
サファイアC面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてGaを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりGaN系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、該GaN系III族窒化物薄膜の成長初期あるいは成長中に金属Inを照射することにより、成長する膜の極性を(0001)に制御することを特徴とするIII族窒化物薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, C30B 29/38
, H01L 33/00
H01L 21/203 M
, C30B 29/38 D
, H01L 33/00 C
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DA05
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EF03
, 5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA66
, 5F103AA04
, 5F103AA08
, 5F103AA10
, 5F103DD01
, 5F103GG01
, 5F103HH04
, 5F103HH08
, 5F103KK01
, 5F103KK10
, 5F103NN10
, 5F103PP20
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
