半導体リーク電流検出器とリーク電流測定方法および電圧トリミング機能付半導体リーク電流検出器とリファレンス電圧トリミング方法およびこれらの半導体集積回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新居広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-370915
公開番号（公開出願番号）：特開2007-172766
出願日： 2005年12月22日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】ビット線リーク電流は不揮発性メモリのしきい値制御を阻害し、信頼性を低下させる。微小なビット線リーク電流を低コストにテストする手法および回路を提供する。【解決手段】本発明の半導体リーク電流検出器は、被測定電流を導通させ、または非道通にする第1のアナログスイッチと、リファレンス電流を導通させ、または非道通にする第2のアナログスイッチと、前記第1のアナログスイッチおよび第2アナログスイッチに接続され、前記被測定電流または前記リファレンス電流によって充電される積分容量素子と、前記積分容量素子をディスチャージするディスチャージ手段と、ディスチャージ後にリファレンス電流によって前記積分容量素子に生じる積分電圧、およびディスチャージ後に被測定電流によって前記積分容量素子に生じる積分電圧のそれぞれと、リファレンス電圧とを比較する比較手段とを備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

リファレンス電流と被測定電流の大小関係を比較する半導体リーク電流検出器において、被測定電流を導通させ、または非道通にする第1のアナログスイッチと、リファレンス電流を導通させ、または非道通にする第2のアナログスイッチと、前記第1のアナログスイッチおよび第2アナログスイッチに接続され、前記被測定電流または前記リファレンス電流によって充電される積分容量素子と、前記積分容量素子をディスチャージするディスチャージ手段と、ディスチャージ後にリファレンス電流によって前記積分容量素子に生じる積分電圧、およびディスチャージ後に被測定電流によって前記積分容量素子に生じる積分電圧のそれぞれと、リファレンス電圧とを比較する比較手段とを備えることを特徴とする半導体リーク電流検出器。

IPC (2件)：

G11C 29/04 , G01R 31/28

FI (3件)：

G11C29/00 673K , G01R31/28 B , G01R31/28 V

Fターム (10件)：

2G132AA09 , 2G132AD00 , 2G132AD01 , 2G132AK07 , 2G132AK29 , 2G132AL00 , 2G132AL09 , 5L106AA10 , 5L106DD21 , 5L106EE02

引用特許：

出願人引用 (4件)

フラッシュメモリの消去あるいは書き込み制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-035009 出願人：松下電子工業株式会社
米国特許US6,201,747 B1
米国特許US6,370,061 B1

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審査官引用 (2件)

ファンクションIDD測定回路および測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-228396 出願人：日本電気株式会社
電流測定方法及び電流測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-343427 出願人：株式会社アドバンテスト

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