プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311729
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164583
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】プラズマ生成条件である放電電力,原料ガスの圧力,流量,組成とは独立にプラズマ内の活性種を制御して高精度に処理性能を制御できおよび特性を長期間安定に維持することができるプラズマ処理を提供する。【解決手段】300から500MHzの電磁波と磁場の相互作用でプラズマを形成し、電磁波導入用平面板に50kHzから30MHzの電磁波を該300から500MHzの電磁波に重畳させ、さらに平面板と被加工試料の間隔を被加工試料の径の1/2以下とする構成とし、間隔に依存した活性種制御で行う。【効果】プラズマ内の活性種がプラズマ生成条件とは独立にかつ効果的に制御でき、さらに長期的な処理性能の安定化が可能となる。

請求項（抜粋）：

真空排気手段と原料ガス供給手段と被加工試料設置手段と被加工試料への高周波電力印加手段を有する真空容器内で該原料をプラズマ化し、該被加工試料の表面処理を行う表面処理装置において、該プラズマを形成する手段が電磁波供給手段と磁場発生手段からなり、該電磁波の該真空容器内への導入を該被加工試料に平行に配置された平面板から行い、該平面板と該被加工試料の間隔を30mmから該被加工試料または平面板のいずれか小さい方の径の2分の1とし、さらに該平面板表面とプラズマ中の活性種との反応量を制御する手段、被加工試料面内に入射する活性種の量と種類を均一化する手段、被加工試料に入射する活性種の時間的変動を低減する手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 D , H05H 1/46 C , H05H 1/46 B , H01L 21/302 F , H01L 21/302 G

引用特許：

審査官引用 (7件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-300039 出願人：株式会社日立製作所
エツチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-328185 出願人：日新電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-248081 出願人：セイコーエプソン株式会社

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