半導体装置の金属配線構造及びその形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088261
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054511
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】金属配線構造及びその形成方法を提供する。【解決手段】絶縁層210上にアルミニウムAl層を用いたシード層600を形成する。その後、シード層上にチタニウムTi層、窒化チタニウムTiN層またはその組合層として湿潤層700を形成し、湿潤層上にアルミニウム層またはアルミニウム合金層として金属配線層800を形成する。この時、シード層、湿潤層及び金属配線層を形成する段階は真空断絶なくインサイチュで遂行される。これにより、金属配線層はシード層によって一定の結晶学的方向に成長して、一定の結晶学的配向を優先的に有する。またその表面の形態学が改善される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の絶縁層上に形成されたシード層と、前記シード層上に形成された湿潤層、及び前記湿潤層上に形成された金属配線層を含み、前記シード層によって前記金属配線層は一定の結晶学的配向を有することを特徴とする半導体装置の金属配線構造。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

集積回路の金属化層の間の反応をできるだけ小さくするための拡散障壁体3重層
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-072674 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-289610 出願人：株式会社豊田中央研究所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-343931 出願人：松下電器産業株式会社

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