特許
J-GLOBAL ID：200903077114720680
半導体力学量センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142105
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335707
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】梁構造の可動部の反りを低減することができる半導体力学量センサ及びその製造方法を提供する。【構成】シリコン基板25上にシリコン酸化膜31(犠牲層)を形成するとともに、このシリコン酸化膜31上に550〜580°Cでのシランによりポリシリコン薄膜33を形成するとともに、その上に600〜630°Cでのシランによりポリシリコン薄膜34を形成して、内部応力状態の異なる2つの可動部形成用のポリシリコン薄膜33,34を積層する。さらに、ポリシリコン薄膜33,34の下のシリコン酸化膜31を除去する。よって、シリコン基板1の上方に所定の間隔を隔てて薄膜よりなる梁構造の可動部6が配置され、力学量の作用に伴う可動部6の変位から力学量を検出する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置された梁構造の可動部とを備え、力学量の作用に伴う前記可動部の変位から力学量を検出するようにした半導体力学量センサであって、前記可動部を、内部応力状態の異なる複数の薄膜を積層することにより構成したことを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
H01L 29/84 B
, G01L 9/04 101
