半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-218787
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058867
出願日： 1998年08月03日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】半導体装置における接触抵抗の低いアルミ電極を少ない工程数で形成する。【解決手段】砒素を不純物とするn型半導体基板を用いる。【効果】接触抵抗の低いアルミ電極を基板に直接形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの表裏双方に電極を有する半導体装置において、高濃度の砒素がドープされたn型基板と、前記n型基板の一方の主面に形成された能動領域と、前記基板の他方の主面に形成され、前記n型基板とオーミック接触性を有するアルミ電極膜と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/861 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/74 , H01L 21/332 , H01L 21/329

FI (5件)：

H01L 29/91 C , H01L 29/72 , H01L 29/74 J , H01L 29/74 301 , H01L 29/91 A

Fターム (7件)：

5F003BC01 , 5F003BZ01 , 5F005AA03 , 5F005AF02 , 5F005AH02 , 5F005BB03 , 5F005GA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

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