特許
J-GLOBAL ID：200903077154595072
元素濃度測定方法及び装置並びに半導体装置の製造方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151226
公開番号（公開出願番号）：特開平10-339706
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 被測定試料表面に付着し及び/又は膜の界面に偏析した元素の濃度を非破壊で精度よく測定する元素濃度測定方法及び装置を提供する。また、この方法を用いた半導体装置の製造方法及び装置を提供する。【解決手段】 基板上に少なくとも1層の膜を有する被測定試料に、入射角度を走査しながらX線を入射し、被測定試料によって反射されたX線の干渉振動曲線を測定し、干渉振動曲線のデータから、被測定試料表面に付着した元素及び/又は膜の界面に偏析した元素の濃度を測定する。この際、X線反射率を表す解析式に干渉振動曲線をフィッティングすることにより、元素が付着し又は偏析した領域の被測定試料の密度を決定し、密度に基づいて元素の濃度を算出する。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも1層の膜を有する被測定試料に、入射角度を走査しながらX線を入射し、前記被測定試料によって反射された前記X線の干渉振動曲線を測定し、前記干渉振動曲線のデータから、前記被測定試料表面に付着した元素及び/又は前記膜の界面に偏析した元素の濃度を測定することを特徴とする元素濃度測定方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 23/20
, H01L 21/66 N
