特許
J-GLOBAL ID：200903077167742147

光半導体装置およびその製造方法

発明者：
古嶋 裕司

古嶋 裕司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-110614
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298240
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】 半絶縁性半導体ブロック層とキャリアトラップ層を有する埋め込みヘテロ構造型光半導体素子において、素子容量低減の為に必要な狭メサ化プロセスに必要とされるエッチング深さの制御性を緩和し、素子容量が小さく高速光伝送に好適な光半導体素子を再現性良く作製することを可能とする。【解決手段】 埋め込みクラッド層及びコンタクト層を選択成長により形成することにより、埋め込みクラッド層をエッチングすることなくキャリアトラップ層および半絶縁性ブロック層の一部がエッチングされた狭メサ構造を形成する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体ブロック層とキャリアトラップ層を有する埋め込みヘテロ構造型光半導体素子において、選択成長によって形成されたクラッド層及びコンタクト層を有し、かつ、キャリアトラップ層および半絶縁性ブロック層がエッチングされたメサ構造を有することを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/223 ,  H01S 5/323
FI (2件)：
H01S 5/223 ,  H01S 5/323
Fターム (11件)：
5F073AA22 ,  5F073AA23 ,  5F073AA46 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073CB11 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA14
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM