特許
J-GLOBAL ID：200903077178470467
光半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-360427
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191636
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】透光性基板上に窒化物半導体を有する高光利用効率の光半導体素子及びこれを量産性よく形成できる製造方法を提供するものである。【解決手段】透光性基板101が第1の主面151及び第1の主面と対向する第2の主面152を有し第1の主面151上に窒化物半導体102が積層された光半導体素子110である。特に、第2の主面152の少なくとも一部がレンズ効果を有する曲面形状104となっている。
請求項（抜粋）：
透光性基板(101)が第1の主面(151)及び第1の主面と対向する第2の主面(152)を有し第1の主面(151)上に窒化物半導体(102)が積層された光半導体素子(110)であって、前記第2の主面(152)の少なくとも一部がレンズ効果を有する曲面形状(104)であることを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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