巨大磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三反崎泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394415
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208119
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】より狭いトラック幅を有する超高記録密度媒体の再生に適したGMRヘッドならびにその製造方法を提供する。【解決手段】リードオーバーレイ層24を含むGMR素子と、GMR素子の中央上部に形成される溝55と、GMR素子の端面を含んで形成される溝65と、溝65の一部を満たし、側壁66を完全に覆い、GMR素子の上面の一部と重なるハードバイアス層71と、ハードバイアス層71を完全に覆い、かつ溝65を十分に満たす導電リード層72とを有するようにGMRヘッドを構成する。この結果、電流障害を発生させずに、ハードバイアス層71とリードオーバーレイ層24とを結ぶ低抵抗のセンス電流経路を確保することができる。このようなGMRヘッドは、より狭いトラック幅を有する超高記録密度媒体に対応可能である。

請求項（抜粋）：

基体上に下部磁気シールド層、下部誘電体層、シード層、バッファ層、フリー層、非磁性層および被固定層を順に形成する第1の工程と、真空下において、前記被固定層の上に第1のキャップ層、リードオーバーレイ層および第2のキャップ層を順に積層することで巨大磁気抵抗効果素子を形成する第2の工程と、前記第2のキャップ層上にレジストパターンを形成した後、前記第2のキャップ層を選択的にエッチングすることでハードマスクを形成し、このハードマスクをエッチングマスクとして用いるイオンビームエッチングにより、リードオーバーレイ層の未保護部分全てと、前記第1のキャップ層の一部を除去すると共に、前記ハードマスクとして利用される第2のキャップ層の一部も除去されるようにすることで第1の溝を形成する第3の工程と、全体をアニール処理し、前記被固定層の磁化方向を定めると共に、前記第1および第2のキャップ層の構成材料をリードオーバーレイ層の内部へ拡散させることによりリードオーバーレイ層の強化を行う第4の工程と、ハードバイアス層および導電リード層を形成する第5の工程と、前記巨大磁気抵抗効果素子の高さ方向の端縁の位置をパターニングプロセスにより決定する第6の工程と、前記導電リード層および第2のキャップ層の上に上部誘電体層を形成する第7の工程と、前記上部誘電体上に、上部磁気シールド層を形成する第8の工程とを含むことを特徴とする巨大磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。

Fターム (6件)：

5D034BA04 , 5D034BA09 , 5D034BA15 , 5D034BB08 , 5D034CA06 , 5D034DA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

再生ヘッド及びその作製方法並びに磁気ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-022961 出願人：株式会社日立製作所
磁気抵抗効果型ヘッドの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-148670 出願人：株式会社日立製作所
スピン・バルブ磁気抵抗素子及び関連する装置/方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-122104 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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