特許
J-GLOBAL ID：200903077238265051

半導体製造装置の性能監視方法および装置

発明者：
▲槙▼谷 雅広

▲槙▼谷 雅広 について


出願人/特許権者：
国際電気株式会社

国際電気株式会社 について


代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-171755
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012412
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 動作部の動作状態を自動検出して表示させることにより、性能監視作業を軽減し、トラブルの予知、事故発生の兆候を精度よく掴めるようにする。【解決手段】 制御用もしくは安全対策用に使用されている動作部8のセンサ200を性能監視用に利用する。コントロールユニット4からローカルコントローラ6にシーケンス命令を発行して動作部8を動作させる。センサ200から動作部8(ゲートバルブ9や基板支持ピン10など)の動作状態を検出して、検出データをローカルコントローラ6を介してコントロールユニット4に取り込む。取り込んだ検出データはデータ取得/演算処理装置5で時間軸上に並べる。検出データを演算処理する。これにより装置の動作監視、性能算出用の処理データを得る。この処理データをオペレーションユニット1に送信して、そのサーベイ表示手段3に画面表示する。
請求項（抜粋）：
半導体製造装置の動作部に動作状態を検出する監視用のセンサを設け、このセンサで検出した動作部の動作状態に基づいて半導体製造装置の性能を監視するようにした半導体製造装置の性能監視方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/68
FI (2件)：
H01L 21/02 Z ,  H01L 21/68 A
Fターム (10件)：
5F031BB09 ,  5F031CC12 ,  5F031GG03 ,  5F031GG10 ,  5F031GG20 ,  5F031KK07 ,  5F031LL02 ,  5F031LL03 ,  5F031LL05 ,  5F031MM10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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