IGBTの過電流保護回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-285226
公開番号（公開出願番号）：特開2002-095151
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】IGBTの過電流時に、過電流や過電圧による破壊を防止し、安全にオフ状態に移行させる。【解決手段】過電流状態となると、まずIGBTのゲート電圧をゲート電流増大手段により設定値まで速やかに低減してスイッチング動作を速やかに開始させる。その後はゲート電圧は設定値を保持して、緩やかなスイッチングを実現する。

請求項（抜粋）：

IGBTを駆動するゲート駆動回路とIGBTの過電流状態を検出する過電流検出回路と、過電流発生時にIGBTのゲート電圧を制御する過電流時ゲート制御回路と、を有するIGBTの過電流保護回路において、前記過電流時ゲート制御回路は、ゲート電圧を設定値に保持するゲート電圧保持手段及び、ゲート電圧を速やかに前記設定値に移行させるためにゲート電流を一時的に増大させるゲート電流増大手段を有するIGBTの過電流保護回路。

IPC (4件)：

H02H 3/087 , H02H 7/12 , H02M 1/00 , H02M 7/48

FI (4件)：

H02H 3/087 , H02H 7/12 B , H02M 1/00 H , H02M 7/48 M

Fターム (28件)：

5G004AA04 , 5G004AB02 , 5G004BA03 , 5G004BA04 , 5G004BA07 , 5G004DC03 , 5G004EA01 , 5G053AA01 , 5G053AA02 , 5G053AA09 , 5G053BA01 , 5G053CA02 , 5G053EB01 , 5G053EB02 , 5G053EC03 , 5H007CA01 , 5H007CB05 , 5H007CC23 , 5H007DC02 , 5H007FA03 , 5H740BA11 , 5H740BB05 , 5H740BB09 , 5H740BC01 , 5H740BC02 , 5H740JA01 , 5H740JB01 , 5H740MM12

引用特許：

出願人引用 (7件)

保護機能を備えたスイッチ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-250308 出願人：東芝エフエーシステムエンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
半導体素子の保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312029 出願人：三菱電機株式会社
パワートランジスタの過電流保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-082332 出願人：東芝エフエーシステムエンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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審査官引用 (7件)

保護機能を備えたスイッチ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-250308 出願人：東芝エフエーシステムエンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
半導体素子の保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312029 出願人：三菱電機株式会社
パワートランジスタの過電流保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-082332 出願人：東芝エフエーシステムエンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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