特許
J-GLOBAL ID：200903077274128842

半導体装置の製造方法

発明者：
石川 英憲

石川 英憲 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-259712
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085439
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 不純物をドーピングした多結晶シリコン膜をエッチングする際のマスクとなる無機絶縁膜の成膜を利用して、多結晶シリコン膜中の不純物の拡散を図る。【解決手段】 シリコン膜13中に不純物を導入する工程と、シリコン膜13上に高融点金属化合物膜14を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法において、高融点金属化合物膜14上にマスクとなる無機絶縁膜15を700°C以上の成膜可能な温度で成膜する工程を備えた製造方法である。
請求項（抜粋）：
シリコン膜中に不純物を導入する工程と、前記シリコン膜上に高融点金属化合物膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法において、前記高融点金属化合物膜上にマスクとなる無機絶縁膜を700°C以上の成膜可能な温度で成膜する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L 21/88 D ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (49件)：
4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104EE05 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH28 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS04 ,  5F033SS13 ,  5F033VV06 ,  5F033WW03 ,  5F033XX21 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC03 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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