特許
J-GLOBAL ID:200903077283372594

集束イオンビーム装置による二次荷電粒子像の観察方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 林 敬之助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-343920
公開番号(公開出願番号):特開2001-202914
出願日: 2000年11月10日
公開日(公表日): 2001年07月27日
要約:
【要約】【課題】 集束イオンビーム装置において、イオンビーム照射による二次荷電粒子の発生効率の相違によって生じる、試料の明るい領域と暗い領域を同時に観察できるようにする。【解決手段】 二次荷電粒子検出器の後段の増幅器12の利得設定を明るい領域と暗い領域で変えて、得られた信号間で演算を行い、信号を画像表示装置13の入力信号として最適化する。
請求項(抜粋):
試料の表面から放出される二次荷電粒子を検出する検出器と、検出器の検出信号を増幅する増幅器と、増幅された検出器信号をデジタル信号に変換する変換器と、二次元強度分布を記憶する記憶装置と、二次元強度分布の演算をする演算装置と、二次元強度分布の強度分布に基づいて試料表面に形成されているパターンを表示する表示装置とを有する集束イオンビーム装置により、試料表面の明るい領域と暗い領域の2つの観察部分を、画像表示装置で同時に観察ができることを特徴とする集束イオンビーム装置による二次荷電粒子像の観察方法。
IPC (4件):
H01J 37/22 502 ,  H01J 37/22 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/28
FI (4件):
H01J 37/22 502 A ,  H01J 37/22 502 F ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/28 Z
引用特許:
審査官引用 (5件)
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