特許
J-GLOBAL ID：200903077307678479

光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池

発明者：
大福 幸司

大福 幸司 について

, 
岩本 良平

岩本 良平 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-031523
公開番号（公開出願番号）：特開2009-193763
出願日： 2008年02月13日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】高い光電変換効率と優れた安定性とを示す光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池を提供する。【解決手段】フッ素をドープした酸化スズをコートした透明導電性ガラス板1上に酸化チタン膜を形成し、該酸化チタン膜に、特定の一般式で表される色素を用いて増感処理した感光層2を設け、該感光層2上に、レドックス電解質を入れた電荷移動層3とフッ素をドープした酸化スズをコートし、さらにその上に白金を担持した透明導電性ガラス板を対向電極4とすることで、光電変換素子1を形成した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも下記一般式(1)で表される色素を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (28件)：
4H056CA01 ,  4H056CA03 ,  4H056CC08 ,  4H056CE03 ,  4H056CE07 ,  4H056DD04 ,  4H056DD06 ,  4H056DD12 ,  4H056DD16 ,  4H056DD19 ,  4H056DD23 ,  4H056FA05 ,  5F051AA14 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032CC14 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032EE20 ,  5H032HH07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)

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