特許
J-GLOBAL ID：200903077317943286
シリコン単結晶の鉄検出法及び鉄汚染濃度評価法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-027909
公開番号（公開出願番号）：特開平9-218175
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 被検試料であるp型Si単結晶を破壊することなく、比較的短時間でSi単結晶における鉄の有無を検出し、また鉄の汚染濃度を評価する。【解決手段】 Bドーパントの複数のp型Si単結晶に異なる濃度でFeを添加し、Fe汚染した複数のp型Si単結晶からDLTS法によりFe濃度毎にキャリアの再結合ライフタイムを示す検量線を作成する。マイクロ波PCD法により発生キャリア濃度が結晶のドーパント濃度以上1018/cm3以下の注入レベルでレーザをBドーパントの被検試料のp型Si単結晶の複数箇所に照射して各箇所のキャリアのライフタイムを求める。複数箇所中、最小のライフタイムを示す箇所に上記と同一の注入レベルでレーザを照射してライフタイムの変化率を求める。変化率が所定値以上のときに複数箇所のライフタイムの平均値を求め、平均値と検量線とから被検試料Si単結晶のFe濃度を求める。
請求項（抜粋）：
p型シリコン単結晶にレーザを照射したときの照射時間に対する前記単結晶のキャリアの再結合ライフタイムの変化率により鉄の有無を検出するシリコン単結晶の鉄検出法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 27/04 Z
, H01L 21/66 N
