積層型チップバリスタの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 青木博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-330375
公開番号（公開出願番号）：特開2007-141953
出願日： 2005年11月15日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】低温焼成した場合であっても、十分なバリスタ特性を有する積層型チップバリスタを作製可能な積層型チップバリスタの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るこの積層型チップバリスタ1の製造方法においては、バリスタ材料の粉体にガラスの粉体を混合させた混合粉体を用いるため、焼成時の焼成温度の低減が図られている。その上、この製造方法では、積層体LS1を焼成して得られたバリスタ素体において、ZnOを主成分とする粒子の粒界に存在するPr及びAgの量が、その粒内に存在するPr及びAgの量よりも多くなっているため、粒界における高抵抗化が実現されており、低い焼成温度でも実用上十分なバリスタ特性を有する積層型チップバリスタ1が得られる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

Zn、Pr、Coを含むバリスタ材料を用意する工程と、 Zn、B、Siを含むガラスを用意する工程と、前記バリスタ材料の粉体と前記ガラスの粉体とを混合した混合粉体を含むシートを形成する工程と、前記シート上に、Agを含む電極ペーストを塗布する工程と、前記電極ペーストが塗布された前記シートを複数枚積層して積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成して焼成体を形成する工程とを有し、前記焼成体の粒界に存在するPr及びAgの量が、前記焼成体の粒内に存在するPr及びAgの量よりも多い、積層型チップバリスタの製造方法。

IPC (1件)：

H01C 7/10

FI (1件)：

H01C7/10

Fターム (6件)：

5E034CB01 , 5E034CC07 , 5E034CC17 , 5E034DA07 , 5E034DC01 , 5E034DE08

引用特許：

出願人引用 (7件)

電圧非直線抵抗体及び磁器組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-040847 出願人：太陽誘電株式会社
積層型バリスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-112086 出願人：株式会社村田製作所
バリスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-307691 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (2件)

積層型バリスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-112086 出願人：株式会社村田製作所
バリスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-307691 出願人：松下電器産業株式会社

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