レジスト剥離液の使用方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永井隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-338438
公開番号（公開出願番号）：特開2003-140365
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：

【要約】【課題】半導体材料への腐食を抑えたアミン化合物からなるレジスト剥離液の使用方法を提供すること。【解決手段】レジスト剥離液を、2%以下の酸素濃度の雰囲気下で使用する。

請求項（抜粋）：

レジスト剥離液を2%以下の酸素濃度の雰囲気下で使用するレジスト剥離液の使用方法。

IPC (3件)：

G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (3件)：

G03F 7/42 , H01L 21/306 D , H01L 21/30 572

Fターム (11件)：

2H096AA25 , 2H096AA26 , 2H096AA27 , 2H096CA20 , 2H096LA02 , 2H096LA03 , 5F043CC16 , 5F043GG10 , 5F046MA01 , 5F046MA05 , 5F046MA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

全件表示

前のページに戻る