特許
J-GLOBAL ID：200903077380102364

半導体発光素子およびその製法

発明者：
山口 敦司

山口 敦司 について

, 
中原 健

中原 健 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-380682
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184313
出願日： 2005年12月29日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
【課題】 窒化物半導体からなる発光素子の表面に設けられる透光性導電層に凹凸を形成することにより、発光層で発光した光が半導体積層部と基板内で全反射を繰り返して減衰させないで光を有効に取りだし、外部量子効率を向上させる。【解決手段】 基板1の一面上に、n形層3およびp形層5を含む窒化物半導体層が発光層を形成するように積層されることにより半導体積層部6が形成され、その半導体積層部6の表面側に透光性導電層7が設けられている。この透光性導電層7の表面に凹凸のパターン(凹部7a)が形成されている。透光性導電層6上にはp側電極8が設けられ、半導体積層部6の一部をエッチングして露出するn形層3に電気的に接続してn側電極9が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、窒化物半導体からなりn形層およびp形層が発光層を形成するように前記基板の一面上に設けられる半導体積層部と、該半導体積層部の表面側に設けられる透光性導電層と、該透光性導電層上に前記半導体積層部の表面側導電形層に電気的に接続して設けられる第1電極と、前記半導体積層部の下層側導電形層に電気的に接続して設けられる第2電極とを具備する半導体発光素子であって、前記透光性導電層の表面に該透光性導電層の一部が残存するように凹部が複数個形成されることにより、前記透光性導電層の表面に凹凸のパターンが形成されてなる半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28
FI (3件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B
Fターム (18件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)
  • 半導体発光素子およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-119223   出願人：松下電器産業株式会社
  • 発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-296275   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-021126   出願人：日亜化学工業株式会社
引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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