特許
J-GLOBAL ID：200903077387828565

ダイオード素子

発明者：
北田 瑞枝

北田 瑞枝 について

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大島 宏介

大島 宏介 について

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九里 伸治

九里 伸治 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-055242
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258270
出願日： 2002年03月01日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】ショットキーダイオードの耐圧を向上させる技術に関する。【解決手段】本発明のダイオード1によれば、任意のガードリング部271〜273のリング幅を二等分するリング中心線33より内側に位置する表層領域70では、P型不純物とN型不純物の量とが等しくなっている。従って、その表層領域70内部で、N型のエピタキシャル層12が完全に空乏化すれば、P型の耐圧部251〜253及びガードリング部271〜273もまた完全に空乏化し、空乏層が形成されない部分は生じず、これにより局所的に電界が集中することもないので、従来の素子に比して耐圧が向上する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、前記半導体層に設けられ、リング形状のものと、該リング形状のものの内周領域に配置されたものを含む複数の孔と、前記複数の孔内部に充填された第2導電型の半導体からなる充填物と、前記半導体層とはショットキー接合をし、前記充填物とはオーミック接合をする材料で構成された電極膜とを有し、前記リング形状の孔と、該リング形状の孔に充填された充填物とでガードリング部が構成され、前記リング形状の孔の内周領域に配置された孔と、該孔に充填された充填物とで耐圧部が構成され、前記ガードリング部のリング内周より内側に位置する半導体層で活性領域が構成され、前記電極膜は、前記耐圧部内の充填物と、前記活性領域とに接触するように配置され、前記活性領域には、前記電極膜と前記半導体層とが接触した部分のショットキー接合で構成されたショットキー接合部と、前記電極膜と前記耐圧部内の充填物とが接触した部分のオーミック接合で構成されたオーミック接合部とが配置されたダイオード素子であって、前記半導体層と前記充填物を含む基板の表面から、前記孔の底部までの深さに位置する前記基板の一部である表層領域では、前記ガードリング部をリング幅で二等分するリング中心線よりも内側に位置する部分で、前記半導体層内部の第1導電型不純物の量と、前記充填物内の第2導電型不純物の量とは互いに等しいダイオード素子。
FI (2件)：
H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 G
Fターム (7件)：
4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD43 ,  4M104DD46 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (3件)

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