特許
J-GLOBAL ID：200903077407731768

セラミックス回路基板およびこれを用いた半導体モジュール

発明者：
手島 博幸

手島 博幸 について

, 
今村 寿之

今村 寿之 について

, 
渡辺 純一

渡辺 純一 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-091191
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124416
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】インダクタンスを低減し、半導体素子の動作時に発生するサージ電圧をより一層の低減化を図ることで、半導体モジュールの動作信頼性を確保すると共に、低熱抵抗でかつ高温環境化対応の冷却構造を有するセラミックス回路基板およびこれを用いた半導体モジュールを提供する。【解決手段】セラミックス基板2と、セラミックス基板2の一面に接合された金属回路板3と、セラミックス基板2の他面に接合された放熱金属板4とからなるセラミックス回路基板1において、セラミックス基板2の厚さDcが0.32mm以下で、かつ金属回路板3厚Dm1と放熱金属板4厚Dm2とが、Dc≧(Dm1+Dm2)/20の関係にあり、セラミックス回路基板1のインダクタンスが7.5nH以下であることを特徴とするセラミックス回路基板。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一面に接合された金属回路板と、前記セラミックス基板の他面に接合された放熱金属板とからなるセラミックス回路基板において、前記セラミックス基板の厚さDcが0.32mm以下で、かつ前記金属回路板厚Dm1と前記放熱金属板厚Dm2とが、Dc≧(Dm1+Dm2)/20の関係にあり、セラミックス回路基板のインダクタンスが7.5nH以下であることを特徴とするセラミックス回路基板。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/03
FI (5件)：
H01L23/12 J ,  H01L23/12 C ,  H05K1/02 A ,  H05K1/02 F ,  H05K1/03 610D
Fターム (7件)：
5E338AA01 ,  5E338AA18 ,  5E338BB75 ,  5E338CC01 ,  5E338CD11 ,  5E338EE02 ,  5E338EE11
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM