特許
J-GLOBAL ID：200903077446470645

洗浄用組成物、半導体基板の洗浄方法および半導体装置の製造方法

発明者：
金野 智久

金野 智久 について

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窪田 清信

窪田 清信 について

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服部 雅幸

服部 雅幸 について

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川橋 信夫

川橋 信夫 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-025112
公開番号（公開出願番号）：特開2005-255983
出願日： 2005年02月01日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】 金属配線を有する半導体基板を化学機械研磨した後にその基板表面の汚染を除去する際、金属配線を腐食させず、かつ残存砥粒、残存研磨くず、金属イオン等の不純物の除去能力が高い洗浄用組成物、これを用いた半導体基板の洗浄方法、およびこの洗浄方法を含む半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 架橋構造を有する有機重合体粒子(A)および界面活性剤(B)を含有することを特徴とする、化学機械研磨後に使用するための洗浄用組成物。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
架橋構造を有する有機重合体粒子(A)および界面活性剤(B)を含有することを特徴とする、化学機械研磨後に使用するための洗浄用組成物。
IPC (3件)：
C11D3/37 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304
FI (4件)：
C11D3/37 ,  B24B37/00 Z ,  H01L21/304 622Q ,  H01L21/304 647A
Fターム (15件)：
3C058AA07 ,  3C058AC01 ,  3C058CA01 ,  3C058DA12 ,  4H003AB18 ,  4H003AB19 ,  4H003AB44 ,  4H003AC08 ,  4H003DA15 ,  4H003DC04 ,  4H003EA07 ,  4H003EB16 ,  4H003EB24 ,  4H003EB28 ,  4H003EB30
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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