半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体及び半導体装置の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小島清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009901
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208452
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】適度な硬度を有し、十分な研磨速度が得られ、且つ被研磨面に傷が付くことがない半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、及びこの水系分散体によって半導体装置の被加工膜を研磨し、半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】ジビニルベンゼン等の架橋性単量体と、スチレン等のその他の単量体とを共重合させて得られる重合体粒子、及びこれらの特定の単量体を共重合させて得られ、特定の平均粒径を有する重合体粒子のうちの少なくとも1種の重合体粒子を含有し、半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体を得る。また、この水系分散体を研磨剤として、被加工膜を研磨する工程を備える製造方法によって半導体装置を得る。

請求項（抜粋）：

下記(イ)及び(ロ)から選ばれる少なくとも1種の重合体粒子を含有することを特徴とする、半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体。(イ)5〜80重量%の架橋性単量体と、20〜95重量%のその他の単量体とを共重合させてなる重合体粒子。(ロ)5〜80重量%の架橋性単量体と、20〜95重量%のその他の単量体とを共重合させてなり、平均粒径が0.13〜0.8μmである重合体粒子。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 , C09K 3/14 550 , C08L101/00

FI (3件)：

H01L 21/304 622 B , C09K 3/14 550 C , C08L101/00

Fターム (9件)：

4J002BC071 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG101 , 4J002BG131 , 4J002DE026 , 4J002FD310 , 4J002GD00 , 4J002HA07

引用特許：

出願人引用 (6件)

研磨材及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-033765 出願人：三井化学株式会社
タングステンの研磨用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320644 出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
研磨液組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-096821 出願人：旭化成工業株式会社

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審査官引用 (3件)

研磨材及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-033765 出願人：三井化学株式会社
タングステンの研磨用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320644 出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
研磨液組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-096821 出願人：旭化成工業株式会社

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