熱処理装置及びその方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-162769
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345314
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】処理室の外部に設けられた加熱部で処理ガスを予備加熱し、処理の均一性を確保しながら、プロセス温度の低温化を図ること。【解決手段】所定の真空度に減圧された反応管2内において、N2OガスとSiH2Cl2ガスとを導入して所定のプロセス温度にてウエハ表面に成膜を行う。この際N2Oガスの導入路に加熱室51を設け、この加熱室51をヒータエレメント53により加熱し、ここにN2Oガスを通気して当該ガスを予備加熱し、このように予備加熱されたN2Oガスを反応管2に導入する。また加熱室51と反応管2との間の前記N2Oガスの導入路にオリフィス6を形成する。このようにすると、減圧プロセスにおいてもオリフィス6の圧力損失により、前記加熱室51内の圧力は前記反応管2内の圧力よりも高くなるので、加熱室51において処理ガスを高い加熱効率で予備加熱でき、プロセスの温度の低温化が図られる。

請求項（抜粋）：

真空排気手段により所定の真空度に減圧された反応容器内に被処理体を搬入すると共に、この反応容器内を所定の処理温度に加熱し、ガス導入路により反応容器内に処理ガスを供給して、被処理体に対して処理を行う熱処理装置において、前記ガス導入路に設けられ、処理ガスを反応容器に供給する前に当該処理ガスを所定温度に加熱するための加熱部と、前記加熱部と反応容器との間の前記ガス導入路に形成されたオリフィスと、を備え、オリフィスの圧力損失により、前記加熱部内の圧力を前記反応容器の圧力よりも高くした状態で、ガス導入路より加熱部内に処理ガスを供給し、これにより処理ガスを所定温度に予備加熱し、この予備加熱された処理ガスを前記反応容器に供給することを特徴とする熱処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/31 , C23C 16/452 , C23C 16/455 , F27B 5/16 , F27D 7/02 , F27D 7/06 , F27D 21/00 , H01L 21/22 511

FI (8件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/452 , C23C 16/455 , F27B 5/16 , F27D 7/02 A , F27D 7/06 A , F27D 21/00 A , H01L 21/22 511 S

Fターム (45件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA24 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030KA04 , 4K030KA25 , 4K030KA45 , 4K030KA46 , 4K030LA15 , 4K056AA09 , 4K056BA04 , 4K061BA11 , 4K061CA21 , 4K061FA07 , 4K061FA14 , 4K061GA04 , 4K063AA05 , 4K063AA15 , 4K063BA12 , 4K063CA01 , 4K063DA09 , 4K063DA13 , 4K063DA33 , 5F045AA06 , 5F045AB32 , 5F045AC05 , 5F045AD11 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045BB01 , 5F045DP19 , 5F045EC02 , 5F045EC08 , 5F045EE07 , 5F045EE20 , 5F045EJ09 , 5F045EK09 , 5F045GB05 , 5F045GB15

引用特許：

審査官引用 (5件)

酸化処理装置及び酸化処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-314356 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-245565 出願人：松下電器産業株式会社
液体状の原料を用いる化学気相堆積法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-337398 出願人：キヤノン株式会社

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