特許
J-GLOBAL ID：200903077513154923
電子表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-500338
公開番号（公開出願番号）：特表2005-524110
出願日： 2003年04月24日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
薄膜トランジスタは、第一のゲート電極の端部と、第一のゲート電極の端部に対向する第二のゲート電極の端部とを有するゲート電極を含む。TFTはまた、第一のゲート電極の端部と重複する第一のドレイン電極の端部と、第二のゲート電極の端部と重複する第二のドレイン電極の端部とを有するドレイン電極を含む。表示装置に用いられるダイオードアレイの製造方法は、基板に隣接した導電層の成膜と、基板に隣接したドープド半導体層の成膜と、基板に隣接したアンドープド半導体層の成膜とを含む。表示画素単位により、画素電極とソース線との間の容量結合を低減する。この単位は、トランジスタと、画素電極と、ソース線とを含む。ソース線は、トランジスタに電源を供給する延長線を含む。パターン形成した導電部を、ソース線に隣接して配置する。
請求項（抜粋）：
ソース電極(208;308;408;508)と、ソース電極(208;308;408;508)からチャネル分間隔を置いて配置するドレイン電極(212;312;412;512)と、チャネルに延設された半導体層(224A,224B;324;424)と、チャネルに隣接して配置されるゲート電極(206A,206A,206;306;406;506)とを備え、ゲート電極(206A,206A,206;306;406;506)に印加する電圧がチャネルに延設された半導体層(224A,224B;324;424)の導電性を変えるトランジスタ(200;300;400;500)であって、ゲート電極(206A,206A,206;306;406;506)は、第一のゲート電極の端部と、第一のゲート電極の端部から間隔をおいて配置する第二のゲート電極の端部とを有し、ドレイン電極(212;312;412;512)は、第一のゲート電極の端部と重複して第一の重複する領域(226A)を形成する第一のドレイン電極の端部を有し、ドレイン電極はまた、第二のゲート電極の端部と重複して第二の重複する領域(226B)を形成する第二のドレイン電極の端部を有し、第一の重複する領域(226A)が増加する方向でドレイン電極(212;312;412;512)に対しゲート電極(206A,206A,206;306;406;506)が移動することにより、第二の重複する領域(226B)を減少させ、またはこの逆の場合であることを特徴とするトランジスタ(200;300;400;500)。
IPC (9件)：
G09F9/30
, G02F1/15
, G02F1/163
, G02F1/167
, G09G3/20
, G09G3/34
, G09G3/38
, H01L21/336
, H01L29/786
G09F9/30 338
, G02F1/15 505
, G02F1/163
, G02F1/167
, G09G3/20 624B
, G09G3/34 C
, G09G3/38
, H01L29/78 617N
, H01L29/78 612Z
2K001BA04
, 2K001BA18
, 2K001DA10
, 2K001EA05
, 5C080AA11
, 5C080AA13
, 5C080BB05
, 5C080DD27
, 5C080EE28
, 5C080FF09
, 5C080JJ02
, 5C080JJ04
, 5C080JJ06
, 5C094AA44
, 5C094BA03
, 5C094BA04
, 5C094BA43
, 5C094BA52
, 5C094BA75
, 5C094CA19
, 5C094EA04
, 5F110AA02
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110EE24
, 5F110EE29
, 5F110GG02
, 5F110GG23
, 5F110HM04
, 5F110NN72
, 5F110NN73
