レーザー処理方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-198043
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045840
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】レーザー光の照射によって結晶性の優れた珪素薄膜を形成する。【構成】加熱室104とレーザー光を照射する室103とロボットアーム106とを備えたレーザー処理装置において、レーザー光を照射するための珪素膜が形成された基板を加熱室において、450°C〜750°C程度の温度に加熱し、しかるのちに、同じく450°C〜750°Cの温度に保たれた状態において、室103においてレーザー光を照射する。こうすることで、結晶性が良好で、ほぼ単結晶または単結晶と見なせる珪素膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

加熱処理を施し非晶質珪素膜を結晶化させる工程と、該工程において結晶化された珪素膜に対してレーザー光を照射する工程と、を有し、前記レーザー光の照射時において、試料は前記加熱処理時の温度の±100°C以内に保たれていることを特徴とするレーザー処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , C30B 30/00 , C30B 31/22 , H01L 21/268 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (5件)

導電性多結晶シリコン膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-243272 出願人：三洋電機株式会社
レーザー処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-307797 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-286518

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