特許
J-GLOBAL ID：200903077564508843
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107106
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299431
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 複数の半導体チップを積み重ねることにより高密度化を図った半導体装置において、回路基板上に搭載された半導体チップから、その上に搭載された半導体チップの一部が突出する場合、突出部分に設けられた電極において良好なワイヤボンディングを行うことができる半導体装置を提供する。【解決手段】 第1半導体チップ1を異方性導電接着剤20を介して回路基板3に搭載する際に、その一部を第1半導体チップ1の外部にはみ出させる。はみ出た樹脂である支持部21及び第1半導体チップ1の上に、第2半導体チップ2を搭載する。支持部21により第2半導体チップ2の突出部分を下方から支持する。
請求項（抜粋）：
回路基板上に第1半導体チップがフリップチップボンディングされると共に、該第1半導体チップの背面に第2半導体チップが貼着され、かつ、該第2半導体チップが上記回路基板とワイヤボンディングされてなる半導体装置の製造方法において、上記第2半導体チップの外縁の少なくとも一辺が上記第1半導体チップの外縁より突出する場合、第1半導体チップを回路基板にフリップチップボンディングする際に、第1半導体チップと回路基板との間に接着剤を介在させ、この接着剤の一部を第1半導体チップと回路基板との間からはみ出させ、このはみ出た接着剤の高さを第1半導体チップの背面と同じ高さに調整して第2半導体チップにおける突出部分の支持部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
H01L 25/08 Z
, H01L 23/12 L
