特許
J-GLOBAL ID：200903077588139288

EUVリソグラフィ用マスクの黒欠陥修正方法

発明者：
高岡 修

高岡 修 について


出願人/特許権者：
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-070802
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260057
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】 バッファーレイヤのないEUVLマスクに対しても適応可能な低ダメージで高スループットの黒欠陥修正を可能にする。【解決手段】 黒欠陥認識はダメージを与えることの少ない電子ビーム2で行い、イオンビーム欠陥修正装置で欠陥外縁部とその内部は下地へダメージが及ばない厚みを残してガス銃10からアシストガスを流しながらイオンビーム12で黒欠陥23を除去し、次に残した欠陥の縁部と内部22をガス銃10からエッチングガスを流しながら電子ビーム2で除去する。電子ビームで加工中に検出器18で加工領域から放出される特性X線またはオージェ電子または二次電子17を検出する。検出した信号の強度変化から除去加工の終点検出を行うことでバッファーレイヤのない場合にもMo/Si多層膜21にダメージを与えないような黒欠陥修正を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
イオンビーム欠陥修正装置で黒欠陥外縁部と下地へダメージが及ばない厚みを残して黒欠陥を除去し、次に前記残した欠陥の縁部と内部をエッチングガスを供給しながら電子ビームを用いて除去することにより下地のMo/Si多層膜へのダメージのない修正を特徴とするEUVリソグラフィ用マスクの黒欠陥修正方法。
IPC (3件)：
H01L21/027 ,  G03F1/16 ,  H01J37/305
FI (4件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A ,  G03F1/16 G ,  H01J37/305 A
Fターム (10件)：
2H095BA10 ,  2H095BD04 ,  2H095BD14 ,  2H095BD32 ,  2H095BD35 ,  5C034BB06 ,  5C034BB07 ,  5C034BB09 ,  5F046GD10 ,  5F046GD11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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