欠陥レビュー方法及びその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-328945
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184565
出願日： 2006年12月06日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】判定可否判別を伴う信頼性の高い膜上/膜下欠陥分類(膜上/膜下/判定不可の3クラス分類)を実現するために,以下の4つの変動要因にロバストな膜上/膜下欠陥分類手法を提供する。(1)SEM画像のボケやノイズ、(2)欠陥表面のテクスチャ(模様)の変化、(3)欠陥の有無や形状に起因する電子線の散乱状態の違いによって生じる画像明度値の変動、(4)欠陥による周囲の配線エッジの形状変形。【解決手段】配線領域と下地領域の境界線のエッジに着目し,欠陥領域内において欠陥・参照画像間で前記エッジが保存されているか否かを判定することによって膜上/膜下欠陥を識別できるようにした。前記欠陥領域の検出においてエッジ効果の違い等により擬似欠陥として引き残ってしまった欠陥領域を除去するようにした。また,前記エッジの保存判定において複数の評価指標に基づく保存判定を併用したエッジ保存判定を行うようにした。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

パターンが形成された試料を予め他の検査装置で検査して検出された前記試料上の欠陥の位置情報を用いて前記試料上の欠陥を含む検査領域を走査型電子顕微鏡(SEM)で撮像して欠陥画像を取得し、前記検査領域に対応する前記欠陥を含まない参照画像を取得し、前記欠陥画像と前記参照画像とを比較して欠陥領域を抽出し、前記抽出した欠陥領域に対応する領域内に存在する前記参照画像上の配線エッジを抽出し、前記配線エッジに対応する領域内に存在する前記欠陥画像上の配線エッジを抽出し、前記参照画像上の配線エッジと前記欠陥画像上の配線エッジから前記試料上における前記欠陥と前記パターンとの上下関係を判定することを特徴とする欠陥レビュー方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G06T 1/00 , H01J 37/22

FI (3件)：

H01L21/66 J , G06T1/00 305A , H01J37/22 502H

Fターム (14件)：

4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106CA38 , 4M106CA39 , 4M106DB05 , 4M106DJ04 , 4M106DJ17 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 4M106DJ23 , 5B057AA03 , 5B057DA03 , 5B057DC16 , 5B057DC32

引用特許：

出願人引用 (8件)

試料の観察方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-195345 出願人：株式会社日立製作所
欠陥分類方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-152663 出願人：株式会社日立製作所
特許第3255292号公報

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