特許

J-GLOBAL ID：200903077609472810

半導体装置、それの製造方法及び製造装置

発明者： 長谷川 英司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349085
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168325
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 ドライブカレント値が劣化しない半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン酸化膜よりも比誘電率が高い材料で、固定電荷が少ないゲート絶縁膜を備える。シリコン酸化膜よりも比誘電率が高い材料からなるゲート絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法において、前記ゲート絶縁膜に光を照射することにより、該ゲート絶縁膜内の固定電荷を減少させる。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜よりも比誘電率が高い材料で、且つ固定電荷が少ないゲート絶縁膜を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/26 E

Fターム (23件)：

5F040DA00 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040ED05 ,  5F040EF02 ,  5F040EH02 ,  5F040EK05 ,  5F040FA19 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FC00 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• IC製造のためのオキシナイトライド誘電体プロセス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-052372   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-339454   出願人：富士通株式会社
• 絶縁膜改質方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-269019   出願人：日本電池株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-277470   出願人：株式会社東芝