半導体集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-287121
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249578
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】スケーラビリティ(縮小性)の高い不揮発性メモリセルユニットを備えた半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】半導体基板に素子活性領域AAを分離する素子分離領域STIと、第1配線BLと、第2配線SLと、素子活性領域AAに形成されるとともに第1、第2配線BL、SL間に接続され、2個の選択トランジスタSTS、STDと、これら選択トランジスタ間に接続された2個以下のメモリセルトランジスタMTとを含むメモリセルユニットMUとを具備する。そして、メモリセルトランジスタMTは電荷蓄積層を有し、この電荷蓄積層の側面を、素子分離領域AAの側面と同一面、又はほぼ同一面とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に形成された、前記半導体基板に素子活性領域を分離する素子分離領域と、第1配線と、第2配線と、前記素子活性領域に形成されるとともに前記第1、第2配線間に接続され、2個の選択トランジスタと、これら2個の選択トランジスタ間に接続された2個以下のメモリセルトランジスタとを含むメモリセルユニットとを具備し、前記メモリセルトランジスタは電荷蓄積層を有し、この電荷蓄積層の側面は前記素子分離領域の側面と同一面、又はほぼ同一面にあることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 , G06K 19/07 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434 , G11C 17/00 641 , G11C 17/00 601 T , G11C 17/00 622 E , G06K 19/00 N

Fターム (57件)：

5B025AC02 , 5B025AC03 , 5B025AE05 , 5B025AE08 , 5B025AF04 , 5B035AA00 , 5B035AA01 , 5B035BB09 , 5B035CA11 , 5B035CA29 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP75 , 5F083EP76 , 5F083EP79 , 5F083ER09 , 5F083ER19 , 5F083ER22 , 5F083GA02 , 5F083GA09 , 5F083GA13 , 5F083JA04 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083KA11 , 5F083LA02 , 5F083LA21 , 5F083MA03 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083NA06 , 5F083PR36 , 5F083ZA05 , 5F083ZA21 , 5F101BA01 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD22 , 5F101BD33 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF05 , 5F101BH09 , 5F101BH19 , 5F101BH21

引用特許：

出願人引用 (1件)

不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-010676 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-149680 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-187398 出願人：株式会社東芝

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